Micron es hoy uno de los principales fabricantes tanto de memoria HBM —incluyendo las últimas generaciones HBM4 y HBM4e— como de GDDR7, la memoria de última generación para tarjetas gráficas de consumo. Según el portal coreano ETNews, la compañía podría estar trabajando en un tipo de memoria completamente nuevo que se situaría entre ambas categorías.
La ausencia de número en el nombre —simplemente GDDR— no es casual: indica que se trata de algo distinto a la evolución habitual de la familia GDDR. Según las fuentes, Micron podría estar ya en una fase avanzada de diseño, con los primeros tests previstos para la segunda mitad de este año. Las muestras tempranas utilizarían cuatro capas apiladas, aunque ese número podría aumentar en función de los resultados iniciales.
El objetivo declarado son los aceleradores de IA, con una propuesta de valor clara: ofrecer un ancho de banda muy elevado —clave en cargas de trabajo de inteligencia artificial— sin la complejidad constructiva del HBM. En términos de coste, construcción y rendimiento, esta nueva memoria quedaría entre el GDDR7 convencional y el HBM4, cubriendo casos de uso donde no se requiere el encapsulado completo del HBM pero sí se necesita más ancho de banda del que ofrece el GDDR7 estándar.
Todo dependerá de cómo se comporten las capas apiladas en términos de rendimiento final y consumo bajo cargas de cálculo intensivo. Si los números acompañan, Micron podría ofrecer a los fabricantes de aceleradores una alternativa más económica y menos compleja que el HBM sin renunciar a la velocidad que la IA demanda.
Fuente: ETNews, VideoCardz
