Llevar energía a un acelerador de IA moderno sin perderla por el camino es un desafío tan real como fabricar el chip en sí. Intel Foundry lo sabe, y en lugar de presentar otro avance de litografía en el IEDM 2025, llegó con algo menos fotogénico pero potencialmente más relevante para quien opera centros de datos: un chiplet de nitruro de galio (GaN) integrado con lógica de silicio en un único componente.
El dato técnico más llamativo es el grosor de la base de silicio: 19 micrómetros, fabricado sobre oblea de 300 mm mediante tecnología GaN-on-silicon. Pero la métrica no es lo importante —lo es lo que permite. Al combinar transistores GaN para gestión de energía con circuitos de control de silicio en el mismo chiplet, Intel elimina la distancia entre ambas funciones. El resultado son pérdidas menores, reguladores de tensión más compactos y la posibilidad de acercarlos físicamente a la GPU o CPU que alimentan. Las especificaciones que acompañan la demostración hablan de bloqueo de voltaje hasta 78 V, frecuencia de corte superior a 300 GHz, retardo de inversor de 33 picosegundos y pruebas de fiabilidad superadas.
No es un producto, es una demostración de tecnología. Pero es más que una presentación de laboratorio.
La competencia en este espacio existe: imec, Infineon y TSMC —con su enfoque A16 Super Power Rail— trabajan también sobre obleas de 300 mm con GaN. La diferencia del enfoque de Intel es la integración en un único chiplet en lugar de mantener la lógica de control y la gestión de energía como componentes separados o delegarlo al propio proceso lógico.
El contexto encaja con la estrategia de empaquetado avanzado que Intel lleva desarrollando con EMIB y Foveros. Si la compañía consigue llevar este chiplet a producción masiva con rendimiento y costes aceptables, el argumento deja de ser «fabricamos chips más pequeños» para ser «fabricamos chips y los alimentamos eficientemente». En la era de los aceleradores de IA, esa segunda parte importa cada vez más.
Fuente: Intel Community
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