El mercado de memorias para inteligencia artificial sigue intensificando su competencia, donde las limitaciones de la memoria HBM impulsan nuevas propuestas. En este contexto, NEO Semiconductor ha mostrado avances en su tecnología 3D X-DRAM, una arquitectura que aún está en fase temprana, pero que ya ha superado pruebas iniciales consideradas relevantes.
A diferencia de la memoria HBM tradicional, que apila chips DRAM de forma vertical, la propuesta de NEO Semiconductor busca inspirarse en estructuras similares a la memoria 3D NAND, construyendo la densidad de forma distinta. El enfoque utiliza celdas como 1T1C y 3T0C, junto con el canal IGZO, con el objetivo de aumentar la capacidad sin depender del empaquetado complejo habitual en HBM.
Según los datos presentados por la compañía, el prototipo alcanzaría latencias de lectura y escritura inferiores a 10 ns, una retención de datos superior a 1 segundo a 85 °C, y una resistencia de más de 10¹⁴ ciclos. Aunque estas cifras provienen de una muestra funcional, aún no se han validado en estructuras multilayer completas ni en productos comerciales de alta densidad como los hipotéticos 512 Gb mencionados en sus proyecciones.
El potencial de esta tecnología es especialmente relevante para el sector de servidores de inteligencia artificial, donde una memoria más densa, barata y escalable podría alterar el equilibrio actual dominado por HBM. Sin embargo, la competencia también avanza en paralelo. Soluciones como las futuras generaciones de HBM (incluyendo HBM4 y posteriores) ya tienen una hoja de ruta clara en términos de ancho de banda, mientras que propuestas como ZAM, desarrollada por Intel junto a Saimemory, buscan mejorar densidad y temperatura sin rediseñar por completo la arquitectura DRAM.
Por ahora, 3D X-DRAM no es un estándar ni un sustituto real de HBM, sino una alternativa experimental que intenta abrir un camino distinto. Su valor principal reside en haber demostrado resultados iniciales funcionales, aunque el reto de escalar la tecnología hasta producción masiva sigue siendo considerable. En un sector donde cada mejora en memoria puede definir el rendimiento de la IA, este tipo de propuestas será observado de cerca en los próximos años.
Fuente: NEO Semiconductor, Tom’s Hardware, WCCFtech
