SK hynix presenta HBM4E con 48 GB y 4 TB/s para impulsar la próxima generación de aceleradores de IA

SK hynix presenta HBM4E con 48 GB y 4 TB/s para impulsar la próxima generación de aceleradores de IA

La evolución de los aceleradores de inteligencia artificial depende cada vez más de la memoria que los acompaña. En este contexto, SK hynix aprovechó Computex para presentar su nueva memoria HBM4E, una solución que promete 48 GB de capacidad en una configuración 12-Hi y una velocidad de transferencia de hasta 4 TB/s.

La compañía surcoreana apunta a chips de 32 Gb y a una velocidad de 16 Gb/s por pin, cifras que permitirían alcanzar el rendimiento anunciado. Sin embargo, el aspecto más relevante de esta propuesta no es únicamente la capacidad o el ancho de banda, sino la forma en que se consiguen. SK hynix asegura poder ofrecer los mismos 48 GB que otras soluciones de 16 capas, pero utilizando un apilado de 12 capas, una ventaja potencial para el empaquetado, la disipación térmica y el espacio disponible alrededor de la GPU.

La competencia también avanza en esta carrera. Samsung sitúa actualmente su memoria HBM4 comercial en 11,7 Gb/s, con objetivos de hasta 13 Gb/s y un ancho de banda de 3,3 TB/s, mientras que la capacidad de 48 GB queda reservada para versiones 16-Hi. Por su parte, Micron ya fabrica en volumen módulos HBM4 de 36 GB y 12H con más de 2,8 TB/s de ancho de banda, mientras trabaja en variantes de 48 GB y 16H.

SK hynix

Estas mejoras están orientadas a plataformas como NVIDIA Vera Rubin y futuras generaciones de aceleradores para centros de datos, donde factores como el consumo energético, el espacio ocupado por el paquete y los rendimientos de fabricación son determinantes. En este escenario, lograr una capacidad de 48 GB en solo 12 capas podría convertirse en una ventaja competitiva significativa.

No obstante, como suele ocurrir en el mercado de las memorias HBM, las especificaciones anunciadas deben superar posteriormente desafíos relacionados con los rendimientos de producción, la gestión térmica y los costes de fabricación. Mientras Samsung intenta recuperar terreno tras los problemas experimentados con HBM3E y Micron continúa mejorando sus productos, la competencia ya no gira únicamente en torno a la velocidad.

Fuente: K Hynix, WCCFtech