Samsung ha anunciado su nueva memoria de almacenamiento UFS 5.0, una solución diseñada para mejorar el rendimiento de dispositivos con funciones de inteligencia artificial ejecutadas directamente en el equipo. La compañía prevé iniciar la producción en masa durante el cuarto trimestre de 2026, con capacidades de hasta 1 TB destinadas a smartphones, visores XR y dispositivos wearables.
La nueva memoria alcanza velocidades de lectura secuencial de hasta 10,8 GB/s y de escritura secuencial de hasta 9,5 GB/s. Según la empresa, estas cifras representan más del doble del rendimiento ofrecido por el estándar UFS 4.1, actualmente utilizado en muchos dispositivos. El aumento de velocidad está orientado a reducir la latencia y acelerar la ejecución de modelos de lenguaje, análisis de imágenes y otras cargas de trabajo de IA procesadas localmente, sin depender por completo de servidores en la nube.
Para desarrollar UFS 5.0, Samsung ha adoptado la versión más reciente del estándar de memoria integrada de JEDEC, posicionando este componente no solo como almacenamiento, sino también como parte de la infraestructura necesaria para las tareas de IA en dispositivos móviles.
La compañía también afirma haber mejorado la eficiencia energética en más de un 40 % frente a su propia implementación UFS 4.1. Esta mejora se logra mediante tecnologías como clock gating y multi-voltage, que reducen el consumo necesario para transferir la misma cantidad de datos.
El nuevo chip mide 7,5 x 13 x 0,9 mm, un tamaño 16,7 % inferior al de la generación anterior. Esta reducción busca facilitar el diseño de teléfonos más delgados, así como de dispositivos portátiles y equipos XR. Los primeros productos equipados con UFS 5.0 deberían llegar con la próxima generación de dispositivos insignia centrados en funciones de IA ejecutadas de forma local.
Fuente: Samsung
