Los tres principales fabricantes de memoria DRAM, Samsung, SK hynix y Micron, han sido demandados en un tribunal federal de California por una presunta coordinación para limitar la oferta de memoria e impulsar el precio de los módulos DDR4 y DDR5.
La demanda sostiene que las compañías aprovecharon la transición hacia la producción de memoria HBM, utilizada en aceleradores de IA, para reducir la fabricación de generaciones anteriores como DDR4 y DDR3. Según los demandantes, esta estrategia no respondió únicamente al aumento de la demanda de los centros de datos, sino que también redujo la disponibilidad de memorias convencionales, provocando incrementos de precio que, en algunos casos, alcanzaron varias veces su valor en los últimos años.
El caso también hace referencia a anteriores investigaciones antimonopolio contra fabricantes de memoria en Estados Unidos a comienzos de la década de 2000. No obstante, el proceso judicial deberá determinar si existió una coordinación entre las empresas o si la evolución del mercado responde a los ciclos habituales de exceso y escasez de oferta, la elevada complejidad de la producción de DRAM, los largos plazos de expansión de capacidad y el cambio de la industria hacia la memoria HBM, un segmento clave para la infraestructura de inteligencia artificial.
Fuente: GamesIndustry.biz, Micron, WCCFtech, TrendForce, ChosunBiz
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