ChangXin Memory Technologies ha logrado un avance importante en el desarrollo de memoria DDR5, alcanzando velocidades de hasta DDR5-8000, lo que sitúa a China más cerca de los líderes tradicionales del sector: Samsung, SK hynix y Micron Technology. Sin embargo, la industria aún no considera que haya un cambio de liderazgo.
Las nuevas memorias de CXMT ofrecen densidades de 16 Gb y 24 Gb, con corrección de errores on-die ECC y un consumo energético inferior al de DDR4 según pruebas internas. Esto permite la creación de módulos no binarios de 24 GB y 48 GB, aunque el nivel de integración todavía no alcanza el de Samsung, que también trabaja en DDR5 de hasta 8000 Mb/s pero con densidades de hasta 32 Gb.
El avance más relevante no es solo técnico, sino industrial. El medio South China Morning Post informó sobre la producción de módulos RDIMM DDR5-5600 de 64 GB de la marca Sinker, perteneciente a Powev, así como la creciente presencia de marcas como Gloway y KingBank que ya integran chips domésticos en el mercado de consumo. Esto indica que China está construyendo una cadena de suministro completa en torno a la memoria.
Aunque estas mejoras aún no implican una reducción drástica de precios en mercados como Europa, algunas pruebas con kits como el DDR5-6000 CL36 de KingBank muestran un rendimiento cercano al de marcas más establecidas, aunque con ventajas económicas limitadas y sin una ventaja clara en overclocking.
El panorama actual sugiere que China no ha desplazado a los grandes fabricantes, pero sí ha entrado de lleno en su terreno competitivo. Si logra aumentar densidad y estabilidad de suministro, los fabricantes OEM podrían obtener mayor poder de negociación, lo que a largo plazo podría presionar los precios y márgenes en el mercado global de memoria.
Fuente: CXMT, South China Morning Post, WCCFtech, Tom’s Hardware, Hardware Unboxed (YT)
