Corea del Sur destinará más de 325 millones de dólares al desarrollo de semiconductores de potencia para IA y centros de datos

Corea del Sur destinará más de 325 millones de dólares al desarrollo de semiconductores de potencia para IA y centros de datos

El Gobierno de Corea del Sur prepara un programa de inversión superior a 500.000 millones de wones (unos 327 millones de dólares) para impulsar la investigación y el desarrollo de semiconductores de potencia, una tecnología cada vez más relevante para la inteligencia artificial, la industria y el sector energético. Según el medio Sedaily, la financiación podría alcanzar los 750.000 millones de wones (casi 500 millones de dólares) al sumar la participación del sector privado.

La iniciativa abarcará toda la cadena de valor, desde materiales y equipos hasta módulos y demostraciones de sistemas completos. El plan contempla capacidades de producción en Busan, además de infraestructuras de pruebas ubicadas en Pohang y Naju. Uno de los principales objetivos es acelerar la transición entre la investigación y la fabricación a gran escala, al tiempo que se reduce la dependencia de proveedores extranjeros.

La apuesta responde al crecimiento de las necesidades energéticas de los centros de datos impulsados por la inteligencia artificial. Mientras la atención del mercado suele centrarse en las GPU, la memoria HBM o el rendimiento de los aceleradores, el aumento de la densidad energética está elevando la importancia de los componentes encargados de gestionar la alimentación eléctrica, la eficiencia y la disipación térmica.

Centros de energía demandas por IA

La empresa Infineon Technologies ha señalado que las fuentes de alimentación para centros de datos están evolucionando desde niveles cercanos a 800 vatios hasta 5,5 kW, con planes que apuntan incluso a 12 kW, mientras que la carga energética por rack puede alcanzar los 250 kW. En este escenario, los semiconductores tradicionales de silicio comienzan a mostrar limitaciones.

Por ello, materiales como el Carburo de Silicio (SiC) y el Nitruro de Galio (GaN) están ganando protagonismo gracias a su capacidad para operar con voltajes más altos, soportar mayores temperaturas y trabajar a frecuencias superiores con menores pérdidas energéticas.

Por su parte, Navitas Semiconductor ha presentado un diseño de alimentación para servidores de 4,5 kW con una eficiencia superior al 97 % y una densidad de potencia de 137 W/in³, reflejando el nivel de desarrollo que ya existe en este mercado.

Fuente: Sedaily, WCCFtech, Infineon, Semiconductor Industry Association, Deloitte, Navitas