Samsung ha comenzado a distribuir muestras de su nueva memoria HBM4E entre fabricantes de servidores y aceleradores para inteligencia artificial, una tecnología cada vez más crítica en un mercado donde el rendimiento ya no depende únicamente de la potencia de las GPU, sino también de la velocidad con la que pueden acceder a los datos.
La nueva solución de la compañía surcoreana utiliza un diseño de 12 capas con una capacidad de 48 GB por pila, ofreciendo una velocidad estable de 14 Gb/s por pin y la posibilidad de escalar hasta 16 Gb/s. Según Samsung, cada pila puede alcanzar una transferencia de hasta 3,6 TB/s, superando a su actual HBM4 comercial, que llega a 3,3 TB/s con 11,7 Gb/s por pin.
La memoria combina chips DRAM 1c con un chip lógico base fabricado en 4 nm por Samsung Foundry, una integración que permite a la empresa controlar internamente el desarrollo de la memoria, la lógica y el empaquetado. Este enfoque podría simplificar la implementación de nuevas plataformas de IA y reducir posibles problemas de producción.
Samsung también asegura mejoras del 16 % en eficiencia energética y de más del 14 % en rendimiento térmico frente a la generación anterior. Sin embargo, la competencia sigue avanzando. El estándar HBM4 de JEDEC ya está definido con una interfaz de 2048 bits y un límite de hasta 2 TB/s por pila, mientras que Micron ya distribuye muestras de su propia memoria HBM4 de 36 GB y 12 capas, con producción a gran escala prevista para 2026.
Aunque el envío de muestras de HBM4E demuestra que Samsung quiere recuperar terreno en el mercado de memorias de alto rendimiento para IA, el liderazgo está lejos de estar asegurado. En un sector donde la memoria se ha convertido en un componente tan importante como los propios aceleradores, la capacidad de ofrecer más ancho de banda y eficiencia será clave para definir la próxima generación de infraestructura de inteligencia artificial.
Fuente: Samsung Semiconductor, Sala de prensa de Samsung, JEDEC, Micron
