SK hynix ha comenzado a distribuir muestras de su nueva memoria HBM4E a clientes, dando paso a la fase de pruebas de empaquetado, rendimiento de fabricación e integración en productos comerciales. El movimiento marca el inicio de una etapa clave para la adopción de esta tecnología en aceleradores de inteligencia artificial.
La compañía presentó módulos HBM4E con una capacidad de 48 GB en configuración 12-Hi, una velocidad de 16 Gb/s por pin y una mejora de la eficiencia energética superior al 20 % respecto a la generación anterior. La memoria emplea la tecnología Advanced MR-MUF y, según la empresa, ofrece una resistencia térmica 17 % superior a la de HBM4.
Uno de los principales cambios es la posibilidad de alcanzar 48 GB utilizando una pila de 12 capas, una capacidad que anteriormente se asociaba a diseños HBM4 de 16 capas. Esta reducción facilita el empaquetado junto a GPU de gran tamaño y mejora el aprovechamiento del espacio y del consumo energético en sistemas de IA.
La competencia en el sector también avanza con rapidez. Samsung ya distribuye muestras de HBM4E con velocidades de 14 Gb/s, escalables hasta 16 Gb/s, y una capacidad de 48 GB en formato 12-Hi, alcanzando un ancho de banda de hasta 3,6 TB/s.
Por su parte, Micron refuerza su posición en el mercado de HBM4 para la plataforma NVIDIA Vera Rubin con módulos de 36 GB en configuración 12H y un ancho de banda superior a 2,8 TB/s.
Con una combinación de 48 GB, una pila de menor altura y mejoras térmicas, SK hynix busca consolidar su ventaja en un mercado donde la capacidad de producir memorias HBM a escala industrial se ha convertido en un factor tan importante como el rendimiento bruto.
Fuente: Sala de prensa de SK hynix
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